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基于NB-IoT的半双工低成本设计分析

更新时间:2018-02-07

  NB-IoT标准基于半双工设计,因此,在RF前端不需要配置双工器,简化射频前端设计复杂度。若功率放大器(Power Amplifier,PA)可以实现CMOS工艺,也可以考虑将PA集成进SoC,进一步降低上行信号发射时所产生的功耗损耗。

  NB-IoT实际上吸取了短距离无线通信的一些设计理念,在保持适当灵活性的前提下,尽可能把设计做得简洁,如必须支持控制面(Control Plane,CP)模式等,因而可以认为介于传统蜂窝通信和短距离无线通信技术的中间状态。下面简单介绍这个状态的影响。

  混合自动重传请求(Hybrid Auto Repeat reQuest,HARQ)的缓冲区回会比距离无线通信等要大一点,但是比传统LTE系统小很多(只支持单进程HARQ,TBS很小)

  通信的协议栈会大一点。和短距离无线通信技术相比,NB-IoT的存储器需求更多。

  传统的LTE通信芯片架构是基带+RF+Flash+SDRAM+PA,比较符合异常复杂的通信芯片架构。基带采用最先进的工艺,尺寸尽可能做小,性能尽可能高;RF有多模多频的需求,使用单独的裸芯片制作会更加容易一些,由于协议栈较大及物理层HARQ需要的缓冲区,必须标配SDRAM。

  对于低功耗无线通信芯片,基本架构是SoC集成RF+Flash+PA,比较符合低成本的物联网通信架构。芯片总体复杂度不高,高集成度对功耗和成本都是有力的。

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